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  • RTP晶体
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  • QBD系列高压驱动
  • QBD-nano微型驱动
  • QBU系列高压驱动
  • HVSW系列高压驱动
  • QBD-nano微型高压驱动

    主要优势: 
    1. 微型设计,功耗小,易于集成;
    2. 航天级品质,工作温度 -40 - +70℃;
    3. 输出高压和重复频率可调;
     
    主要参数
    1. 外部供电:+5V DC, 额定电流 500mA
    2.  输出高压:2600-3800V可调,重复频率:最高4 kHz 
      *(外部供电和高压输出可订制) 
    3. 工作模式:双极输出
    4. 上升沿:  典型1-3 ns (与负载电容大小和输出高压值有关)
    5. 高压脉宽:0.5-1 μs (出厂预置0.5μs)
    6. 延迟时间 <15ns (负载电容5-7 pF时),抖动:+/- 0.1ns
    7.  恢复时间:3-6 μs
    8. 负载电容:5-7 pF (推荐), 20 pF (最大)
    9. 功耗(典型值):220mA @ 1 kHz, 1.1W
                             300mA @ 2 kHz, 1.5W
                             460mA @ 4 kHz, 2.3W
    10. 运行温度:-40 - +70 °C 
    11. 尺寸(长宽高)和重量:50mm x 30mm x 8mm  10克